Филиал «угреша» Б. М. Балоян, А. Г. Колмаков, М. И. Алымов, А. М. Кротов наноматериалы классификация, особенности свойств, применение и технологии получения. Москва 2007

Главная страница
Контакты

    Главная страница



Филиал «угреша» Б. М. Балоян, А. Г. Колмаков, М. И. Алымов, А. М. Кротов наноматериалы классификация, особенности свойств, применение и технологии получения. Москва 2007



страница26/32
Дата19.08.2017
Размер6.21 Mb.
ТипУчебное пособие


1   ...   22   23   24   25   26   27   28   29   ...   32

Существует возможность создания упорядоченной структуры из квантовых ям или точек. Такую сложную структуру можно получить, например, при чередовании процессов напыления активного материал при котором имеет место самоорганизация структуры квантовых точек, и процессов напыления слоев инертного материала (рис. 6.1) [4].

В работе [127] квантовые точки в слоях InAs, расположенных между слоями GaAs, получали с помощью последовательности циклов напыления островков InAs (рис.6.2). Структуры близкие к структурам квантовых ям и точек могут получаться при нанесении эпитаксиальных слоев GaN толщиной 3-4 мкм на сапфировые подложки методом химического напыления в вакууме с использованием металлорганических соединений (рис. 6.3) [126].

Нанопроволоки, металлические нанопроволоки для электронных микросхем, а также нанопроволоки из точечных наночастиц («мушек») выращивают методом конденсации из паровой фазы на ступенчатых подложках [8].

Имеется несколько вариантов технологий.

В соответствии с одним из них формирование нанопроволок происходит следующим образом (рис. 6.1). Частицы паровой фазы оседают на плоскости «ступенек». Под влиянием поверхностных сил они диффундируют по плоскости «ступеньки» в ее угол, где действуют силы от двух плоскостей. Процесс позволяет получать нанопроволоки с диаметром порядка 3 нм и нанополосы с шириной 20-60 нм. При этом необходимым условием для их получения является требование, что бы поверхностная энергия материала подложки превышала поверхностную энергию материала формирующейся нанопроволоки. Например, медные нанопроволоки можно сформировать на подложке из молибдена. На Вольфраме, имеющем еще более высокую поверхностную энергию по сравнению с молибденом можно сформировать цепочки нано-«мушек».

Другой вариант основан на методах селективной эпитаксии. В этом случае проволока формируется на «гребешке» подложки между двумя эпитаксиальными слоями. Таким образом получают нанопроволоки из полупроводников, например из сплавов InGaAs [8].

Еще одним вариантом технологии является метод лазерного облучения мишеней из смесей по схеме «пар – жидкость - твердое тело» (рис. 6.2). Например, облучением смесей Si+SiO2, Si+Fe2O3, Ge+SiO2, Ge+GeO2 получают нановолокна кремния и германия в изоляционной оболочке из SiO2 [8].



Пленочные технологии позволяют создавать не только нанопроволоки или нановолокна, но и «коврово-образные» наноструктуры с упорядоченным расположением нановорсинок одинаковой толщины и высоты (рис. 6.3). Такие структуры могут использоваться как сенсоры, элементы экранов высокого разрешения и т.п. [4].




1   ...   22   23   24   25   26   27   28   29   ...   32